тензорезистивный эффект

[tensoresistive effect] — изменение удельного электросопротивления твердого проводника (металла, полупроводника) в результате его деформации; характеризуется тензочувствительностью K = (Δρ/ρ)/(Δl/l)— относительное изменение длины l образца под действием приложенной нагрузки в определенном направлении, Δρ/ρ — относительное изменение ρ вдоль этого направления. В металлах K ≈ 1, в полупроводниках (например, в Ge и Si) в десятки и сотни раз больше. Тензорезистивный эффект связан с изменением межатомного расстояния при деформации, что влечет изменение структуры энергетических зон кристалла. Деформация влияет также на процессы рассеяния носителей (появление новых дефектов, изменение фононного спектра). Тензорезистивный эффект применяется в тензодатчиках сопротивления, служащих для измерения деформаций;
Смотри также:
— Эффект
— эффект Холла
— эффект Фарадея
— эффект Ребиндера
— эффект Пельтье
— эффект Мессбауэра
— эффект Керра
— эффект Зеебека
— эффект Баушингера
— электрогидравлический эффект
— тепловой эффект реакции
— температурный эффект деформации
— рениевый эффект
— пьезоэлектрический эффект
— коррозионный эффект
— гальваномагнитный эффект
— арочный эффект
— анодный эффект
— эффект памяти формы (ЭПФ)
— эффект Портевена — Ле-Шателье
— эффект Томсона
— эффект Френкеля