Двойникование

[twinning] — образование в кристалле областей с разной ориентацией кристаллической решетки, связанных зеркальным отражением в определенной кристаллографической плоскости (плоскости д.). Двойникование возможно при росте кристаллов из расплава, пластической деформации и при рекристаллизации. Соответственно, возникают двойники роста, механические двойники и двойники рекристаллизации. Механическое двойникование происходит под действием касательных напряжений в результате одинаково направления смещений атомов на расстояние меньше межатомного. В результате такого взаимосвязанного, кооперативного смещения атомов образуется двойниковая прослойка, внутри которой структура та же, что и в исходном кристалле, но пространственная ориентировка иная. На границе двойниковой прослойки — плоскости двойникования атомы принадлежат одновременно двум ориентировкам решетки. Такая граница имеет совершенное строение и является когерентной. Кооперативный процесс перемещения атомов на расстояния меньше межатомного обусловливает очень высокую скорость образования двойниковой прослойки, близкую к скорости звука в металле. Для механического двойникования требуется большее напряжение, чем для скольжения дислокаций; поэтому двойникование активно развивается в тех случаях, когда скольжение по каким-либо причинам затруднено, например, в железе и сталях тонкие двойниковые полосы выявляются на шлифах после испытаний на ударный изгиб при комнатной температуре.